[FR] L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ de type à grille en tranchée comprenant : • - la formation (110) d'au moins une tranchée (11, 12, 13) dans un substrat semi-conducteur (1) d'un premier type de conductivité, ledit substrat comprenant deux faces opposées dite face avant et face arrière, • - l'implantation primaire (120) d'ions ayant un deuxième type de conductivité de sorte à implanter chaque tranchée du substrat pour former une région active de grille, • - le dépôt (160) d'une couche de silicium poly-cristallin du deuxième type de conductivité sur la région active de grille implantée, • - l'oxydation (160) de la couche de silicium poly-cristallin, et • - la métallisation (180) du substrat sur ses faces avant et arrière pour former des régions actives de source et de drain

[EN] The invention concerns a method for producing a field effect transistor having a trench gate comprising: • - the forming (110) of at least one trench (11, 12, 13) in a semi-conductive substrate (1) having a first type of conductivity, said substrate comprising two opposing faces called front face and rear face, • - the primary implantation (120) of ions having a second type of conductivity so as to implant each trench of the substrate to form an active gate area, • - the depositing (160) of a layer of polycrystalline silicon having the second type of conductivity on the implanted active gate area, • - the oxidation (160) of the layer of polycrystalline silicon, and • - the metallisation (180) of the substrate on the front and rear faces of same in order to form active source and drain areas

Institut National des Sciences Appliquees de Lyon, Universite Claude Bernard Lyon, Centra National de la Reshershe Scientifique, Ecole Centrale de Lyon, Consejo Superior de Investigaciones Científicas

B1 Patente sin examen previo

Peer reviewed