Des mesures de hauteurs de barrière dans les hétérojonctions pSnTe-nCdTe ont été effectuées dans le but de construire le diagramme de bande de ces structures. Les résultats obtenus à partir des caractéristiques courant-tension et capacité-tension ont été analysés et comparés. De ces études, il ressort que l'affinité électronique du SnTe jusqu'alors inconnue est voisine de 4,50 eV. Cette valeur est celle du matériau déposé qui contient une très faible proportion de cadmium provenant des phénomènes d'interdiffusion entre le substrat de CdTe et la couche de SnTe, qui prennent naissance au cours de la fabrication des hétérojonctions.