[ES] La presente patente describe la fabricación de dispositivos sensores del campo magnético cuyo funcionamiento esta basado en el fenómeno de la magnetorresistencia balística (BMR). Este dispositivo spintrónico magnetoresistivo difiere de los otros dispositivos existentes hasta la fecha en que los nanocontactos se forman por la inclusión de una o más partículas ferromagnéticas de tamaño micro y/o nanométrico situadas entre dos electrodos que hacen de contactos con deposiciones electroquímicas y/o incrustaciones metálicas adecuadas. La configuración de la partícula o las partículas que forman el área de contacto (así como, los materiales utilizados en los electrodos yen las partículas) puede variar. Los sensores magnéticos descritos muestran grandes valores de MR, pero lo que es más importante, estos dispositivos permanecen estables por largos períodos de tiempo.

[EN] The invention relates to the production of magnetic field sensor devices whose operation is based on the phenomenon of ballistic magnetoresistance (BMR). The inventive spintronic magnetoresistive device differs from other existing devices in that the nanocontacts are formed by the inclusion of one or more micro and/or nanometric ferromagnetic particles located between two electrodes which serve as contacts with suitable metallic scales and/or electrochemical deposits. The configuration of the particle or particles forming the contact area (as well as the materials used in the electrodes and the particles) can vary. The aforementioned magnetic sensors display high magnetoresistance (MR) values and, more importantly, said devices remain stable for long periods of time.

Fecha de presentación internacional: 01.03.2005. - Titular: Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)

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