La invención describe un material de tipo átomo-basado con la estructura del fullerene-tipo y más numeroso consiste en específicamente el átomo de la hibridación sp2 hidrogenado parcialmente hasta un contenido atómico de el 35%, preferiblemente entre 5 y el 35%. El método para producirlo se realiza en un sustrato en la temperatura baja - entre 25 y 300 grados C - que usa la técnica plasma-ayudada de la deposición del vapor químico (PACVD), conteniendo, dentro de él, de iones altamente activados y aplicable a los materiales de tipo no-calor-resistentes que cubren una amplia gama de aplicaciones. Son de estos materiales de tipo útil para la producción, por ejemplo, de mecánico o dispositivos ópticos, medio magnético, alas del avión, vidrios y plásticos o fotodetectores.

The invention describes a carbon-based material with fullerene-type structure and more specifically consists of sp2 hybridization carbon partially hydrogenated up to an atomic content of 35%, preferably between 5 and 35%. The method for producing it is performed on a substrate at low temperature - between 25 and 300 DEG C - using the plasma-assisted chemical vapour deposition (PACVD) technique, containing, within it, highly energized ions and applicable to non-heat-resistant materials covering a wide range of applications. These materials are useful for the production of, for example, mechanical or optical devices, magnetic means, aircraft wings, glasses and plastics or photodetectors.

Fecha de solicitud: 22/11/2007.- Titular: Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)

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