Данная работа посвящена исследованию Ð¾Ð¿Ñ‚Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¸Ñ ÑÐ²Ð»ÐµÐ½Ð¸Ð¹ в Ð¿Ð¾Ð»ÑƒÐ¿Ñ€Ð¾Ð²Ð¾Ð´Ð½Ð¸ÐºÐ¾Ð²Ñ‹Ñ Ð¼Ð°Ñ‚ÐµÑ€Ð¸Ð°Ð»Ð°Ñ , Ð¿ÐµÑ€ÑÐ¿ÐµÐºÑ‚Ð¸Ð²Ð½Ñ‹Ñ Ñ точки зрения разработки Ð½Ð¾Ð²Ñ‹Ñ Ð¸ÑÑ‚Ð¾Ñ‡Ð½Ð¸ÐºÐ¾Ð² излучения, Ñ€Ð°Ð±Ð¾Ñ‚Ð°ÑŽÑ‰Ð¸Ñ Ð² среднем инфракрасном диапазоне спектра. Ð’ работе исследованы структуры с эпитаксиальными слоями InAs[1−x]Sb[x] с различным содержанием Sb (x = 0,4 и x = 0,6). Для Ð´Ð°Ð½Ð½Ñ‹Ñ ÑÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€ методом фурье-спектроскопии были исследованы спектры фото- и электролюминесценции в диапазоне энергий квантов света от 70 до 600 мэВ при Ñ€Ð°Ð·Ð»Ð¸Ñ‡Ð½Ñ‹Ñ Ñ‚ÐµÐ¼Ð¿ÐµÑ€Ð°Ñ‚ÑƒÑ€Ð°Ñ Ð² диапазоне от 8 К до 300 К и Ñ€Ð°Ð·Ð»Ð¸Ñ‡Ð½Ñ‹Ñ ÑƒÑ€Ð¾Ð²Ð½ÑÑ Ð²Ð¾Ð·Ð±ÑƒÐ¶Ð´ÐµÐ½Ð¸Ñ. Получено удовлетворительное соответствие Ñ€Ð°ÑÑ‡ÐµÑ‚Ð½Ñ‹Ñ Ð·Ð½Ð°Ñ‡ÐµÐ½Ð¸Ð¹ запрещенной зоны с экспериментально полученными данными. Ð’ образце InAs[0,6]Sb[0,4] исследована анизотропия поляризации рекомбинационного излучения возникающего ÑƒÑÐ»Ð¾Ð²Ð¸ÑÑ Ð¼ÐµÐ¶Ð·Ð¾Ð½Ð½Ð¾Ð³Ð¾ пробоя в сильном электрическом поле.

This work is devoted to the study of optical phenomena in semiconductor materials, which could be used as a basis for new detectors and radiation sources operating in the mid-infrared spectral range. We have studied the structure with InAs[1−x]Sb[x] epitaxial layers with different Sb content (x = 0,4 and x = 0,6). Experimental study was performed by means Fourier transform spectroscopy of the photo- and electroluminescence in the photon energy range from 70 to 600 meV for different temperatures from 8 K to 300 K and at different excitation levels. A satisfactory agreement between the calculated values of the band gap with the experiment data have been obtained. In the InAs[0,6]Sb[0,4] sample the polarization anisotropy of recombination radiation arising under interband breakdown in a strong electric field have been studied.