The interest to the impurity centers resonant states in quantum wells is associated with possibility to create new sources of stimulated emission at impurity transitions. The resonant states, which are formed as a result of connection of an electron by two neutral donors, are of particular interest. In this case, there are new possibilities for the control of the impurity molecular states terms, where the distance between the neutral donors and the spatial configuration of the -center in the volume of the quantum well begin to play an important role. The aim of this work is to theoretically study the exchange interaction influence on the energy spectrum of the -centers with the resonant gand u-states in the quantum well in the presence of an external magnetic field, as well as on the impurity magneto-optical absorption in quantum multiwell structure with -resonant states. The authors compare the obtained theoretical results with experimental data for dependence of the -state binding energy on the external magnetic field in the quantum well GaAs / AlGaAs, doped with shallow donors of Si. To solve the problem of bound states for electron, which is localized on the -center with the resonance g-and u-states in a parabolic quantum well in an external magnetic field, it is necessary to use the method of zero-range potential and the effective mass approximation. Calculation of the impurity magneto-optical absorption coefficient in the quantum multiwell structure with resonance -states is conducted in the dipole approximation with account of the Lorentzian broadening for energy levels. The researcher investigate the dependence of the average binding energy of the resonant g-state for -center on the external magnetic field with account of the Lorentzian broadening for energy levels. The scientists compare experimental data concerning the dependence of the electron binding energy for -center on the external magnetic field in the GaAs / AlGaAs quantum well with shallow donors of Si and demonstrate a good agreement with theoretical calculations. It is supposed that the existence of resonant -states, formed as a result of connection of electron by two neutral donors is possible under certain conditions in the GaAs / AlGaAs quantum wells, doped with shallow donors of Si. The exchange interaction between the -centers can lead to the formation of resonant -states in the quantum wells of GaAs / AlGaAs, doped with shallow donors of Si. The exchange interaction in the presence of oscillations of the interference nature, amplitude of which rapidly decreases with an increase of the average distance between neutral donors, is realized in the magneto-optical impurity absorption spectra in quantum multiwell structure.

Интерес к квантовым ямам с резонансными состояниями примесных центров связан с перспективой создания новых источников стимулированного излучения на примесных переходах. Особый интерес представляют резонансные -состояния, образующиеся в результате обобществления электрона двумя нейтральными донорами. В этом случае появляются новые возможности для управления термами примесных молекулярных состояний, где важную роль начинают играть расстояние между нейтральными донорами и пространственная конфигурация -центра в объеме квантовой ямы. Целью данной работы является теоретическое исследование влияния обменного взаимодействия на энергетический спектр -центров с резонансными g и u -состояниями в квантовой яме при наличии внешнего магнитного поля, а также на примесное магнитооптическое поглощение в многоямной квантовой структуре с резонансными -состояниями. Сравнение полученных теоретических результатов проведено с экспериментальными данными по зависимости энергии связи -состояния от величины внешнего магнитного поля в квантовой яме GaAs/AlGaAs, легированной мелкими донорами Si. Для решения задачи о связанных состояниях электрона, локализованного на -центре с резонансными g и u -состояниями в параболической квантовой яме во внешнем магнитном поле, использовался метод потенциала нулевого радиуса и приближение эффективной массы. Расчет коэффициента примесного магнитооптического поглощения в многоямной квантовой структуре с резонансными -состояниями проведен в дипольном приближении с учетом лоренцева уширения энергетических уровней. Исследована зависимость средней энергии связи резонансного g -состояния -центра от величины внешнего магнитного поля с учетом лоренцева уширения энергетических уровней. Проведено сравнение с экспериментальными данными по зависимости энергии связи электрона на -центре от величины внешнего магнитного поля в квантовой яме GaAs/AlGaAs с мелкими донорами Si и продемонстрировано хорошее согласие с теоретическими расчетами. Выдвинуто предположение, что в квантовых ямах GaAs/AlGaAs, легированных мелкими донорами Si, при определенных условиях возможно существование резонансных -состояний, образующихся в результате обобществления электрона двумя нейтральными донорами. Обменное взаимодействие между -центрами может приводить к образованию резонансных -состояний в квантовых ямах GaAs/AlGaAs, легированных мелкими донорами Si. В спектрах примесного магнитооптического поглощения в многоямных квантовых структурах обменное взаимодействие проявляется в наличии осцилляций интерференционной природы, амплитуда которых достаточно быстро убывает с ростом среднего расстояния между нейтральными донорами.