Работа посвящена изучению динамики дислокационных сегментов и диффузионной подвижности примеси в монокристаллах кремния после воздействия постоянных магнитных полей ( В 15 см –3), ниже которой магнитопластический эффект в кремнии не фиксируется. Обнаружено, что диффузионные процессы в бездислокационном кремнии также являются магниточувствительными: глубина диффузии фосфора в кремнии р -типа предварительно выдержанном в постоянном магнитном поле возрастает (~20 %) по сравнению с контрольными образцами.

Work is devoted to studying of dynamics of dislocation segments and diffusive mobility of impurity in silicon mono-crystals after influence of constant magnetic fields (B 15 cm –3), below which the effect of silicon magneto-plastic is not fixed. It was found that diffusion processes in dislocation-free silicon are also magneto-sensitive: phosphorous diffusion depth of p -type silicon is previously stored in the static magnetic field increases (~ 20 %) compared with control samples.