
Problem statement. Improvement of thermoelectric figure of merit is connected with the usage of nanostructured thermoelectric materials fabricated from powders by the spark plasma sintering (SPS) method. Preservation of powder nanostructure during sintering is possible at optimum temperature modes of thermoelectrics fabrication. The choice of these modes becomes complicated because of anisotropic properties of semiconductor thermoelectric materials. The decision of the given problem by sintering process simulation demands the competent approach to the problem formulation, a correct specification of thermoelectric properties, the properties of materials forming working installation, and also corrects boundary conditions. The paper deals with the efficient model for sintering of thermoelectrics. Methods. Sintering process of the bismuth telluride thermoelectric material by means of SPS-511S installation is considered. Temperature dependences of electric and thermal conductivities of bismuth telluride, and also temperature dependences of installation elements materials are taken into account. It is shown that temperature distribution in the sample can be defined within the limits of a stationary problem. The simulation is carried out in the software product Comsol Multiphysics. Boundary conditions include convective heat exchange and also radiation under Stefan-Boltzmann law. Results. Computer simulation of electric and thermal processes at spark plasma sintering is carried out. Temperature and electric potential distributions in a sample are obtained at the sintering conditions. Determinative role of graphite compression mould in formation of the temperature field in samples is shown. The influence of geometrical sizes of a graphite compression mould on sintering conditions of nanostructured thermoelectrics is analyzed. Practical importance. The optimum sizes of a cylindrical compression mould for fabrication of volume homogeneous samples based on bismuth telluride are determined. Ways of updating for the sintering process are shown giving the possibility to fabricating thermoelectric samples with predicted properties.
Постановка проблемы. Повышение термоэлектрической добротности термоэлектриков связывают с использованием наноструктурированных термоэлектрических материалов, полученных из порошков методом искрового плазменного спекания. Сохранение наноструктуры порошка в процессе спекания возможно при оптимальных температурных режимах их получения. Выбор этих режимов осложнен свойствами термоэлектриков анизотропных полупроводниковых материалов. Решение данной проблемы путем моделирования процесса спекания требует грамотного подхода к постановке задачи и корректного задания свойств термоэлектриков и материалов, входящих в рабочую установку, а также граничных условий. В представленной работе предложена работоспособная модель спекания термоэлектриков. Методы. Рассматривается процесс спекания термоэлектрического материала теллурида висмута с использованием установки SPS-511S. Учитываются температурные зависимости электрои теплопроводности теллурида висмута, а также материалов, из которых изготовлены элементы установки. Показано, что распределение температуры в образце может быть определено в рамках стационарной задачи. Моделирование выполняется в программном продукте Comsol Multiphysics. Граничные условия включают конвективный теплообмен и излучение по закону Стефана-Больцмана. Результаты. Проведено компьютерное моделирование электрои теплофизических процессов, протекающих при искровом плазменном спекании. Получено распределение температуры и потенциала в образце при спекании. Показана определяющая роль в формировании температурного поля в образцах графитовой пресс-формы. Проанализировано влияние геометрических размеров графитовой пресс-формы на условия спекания наноструктурированных термоэлектриков. Практическая значимость. Установлены оптимальные размеры цилиндрической пресс-формы для получения однородных по объему образцов на основе теллурида висмута. Показаны пути модификации процесса спекания, позволяющие создавать образцы термоэлектриков с прогнозируемыми свойствами.
ИСКРОВОЕ ПЛАЗМЕННОЕ СПЕКАНИЕ,SPARK PLASMA SINTERING,ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ,THERMOELECTRIC MATERIALS,НАНОСТРУКТУРЫ,NANOSTRUCTURES,КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ,COMPUTER SIMULATION,ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ДОБРОТНОСТЬ,THERMOELECTRIC FIGURE OF MERIT,ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ,THERMAL CONDUCTIVITY,ТЕПЛОВЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ,THERMAL AND ELECTRIC FIELDS
ИСКРОВОЕ ПЛАЗМЕННОЕ СПЕКАНИЕ,SPARK PLASMA SINTERING,ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ,THERMOELECTRIC MATERIALS,НАНОСТРУКТУРЫ,NANOSTRUCTURES,КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ,COMPUTER SIMULATION,ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ДОБРОТНОСТЬ,THERMOELECTRIC FIGURE OF MERIT,ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ,THERMAL CONDUCTIVITY,ТЕПЛОВЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ,THERMAL AND ELECTRIC FIELDS
| selected citations These citations are derived from selected sources. This is an alternative to the "Influence" indicator, which also reflects the overall/total impact of an article in the research community at large, based on the underlying citation network (diachronically). | 0 | |
| popularity This indicator reflects the "current" impact/attention (the "hype") of an article in the research community at large, based on the underlying citation network. | Average | |
| influence This indicator reflects the overall/total impact of an article in the research community at large, based on the underlying citation network (diachronically). | Average | |
| impulse This indicator reflects the initial momentum of an article directly after its publication, based on the underlying citation network. | Average |
