Приведены результаты расчёта для автоэлектронной эмиссии из полупроводниковых материалов в случае размерного квантования приповерхностной области в сильных полях. Получены аналитические выражения в предположении описания приповерхностного изгиба зон прямоугольным потенциалом с асимметричными граничными значениями. Приведены зависимости плотности тока от ширины квантовой ямы, температуры, а также ВАХ. Приводится сопоставление с классической моделью Фаулера-Нордгейма. Модельные расчёты произведены для параметров кремния. Данные численных экспериментов находятся в согласии с экспериментальными данными. Модель позволяет объяснить низкое значение порога активации процесса автоэмиссии из полупроводниковых эмиттеров, а также низкие значения плотностей токов, полученные во время экспериментов с нанотрубками, графеном и другими полупроводниковыми материалами. Библиогр. 14 назв. Ил. 6. Табл. 1.

Calculation of the field emission from semiconductor emitter (Si parameters) was provided based on the 2D Fermi-Dirac statistic. The electron states of discretization were estimated proceeding from rectangular potential well in near surface region. Dependencies on the temperature and the width of barrier of the current density were built on base of equations, which were derived in the paper. As main result our approach explains low activation threshold of process and the low amount of current in case of emission from semiconductor emitters versus the metal emitters. This effect is attracting attention of researchers of condensed matter in area of investigations of field emission from nanotube, graphene and other which have perspective in applications. Dependencies of current density on the temperature are in accordance with experimental data of foreign authors. Refs 14. Figs 6. Tables 1.