Исследуются контактные явления в барьерных структурах и фотоэлектрических преобразователях на основе наноструктурированных неупорядоченных полупроводников. Эффект Стеблера Вронского приводит не только к ухудшению транспортных свойств полупроводника, но и к перераспределению контактного поля и ухудшению собирания фотогенерированных носителей. Таким образом, деградация приборов обусловлена не только возникновением фотоиндуцированных дефектов, но и их влиянием на контактные явления в наноструктурированных неупорядоченных полупроводниках.

The paper deals with the investigation of contact phenomena in barrier structures and photovoltaic cells in nanostructured disordered semiconductors. The StaeblerWronski effect causes deterioration of transport properties of semiconductors as well as redistribution of contact electric field and decay of photogenerated carrier collection. Thus, device degradation is triggered off by not only the initiation of photoinduced defects, but also by their influence on contact phenomena in nanostructured disordered semiconductors.