Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным сопротивлением 4000 Ом∙см. Обнаруженное значение плотности фототока, равное 48,6 мА/см2, является рекордным для отечественных монокристаллических кремниевых ФЭП, что обусловливает целесообразность разработки серийных ФЭП с p-i-n структурой. Изучено влияние слабо концентрированного излучения на эффективность работы ФЭП такого типа. Обоснованы предложения по усовершенствованию конструкции ФЭП с p-i-n структурой, обеспечивающему увеличение их КПД до 20 %.

Test samples of solar cells (SC) with p-i-n structure on the basis of very poorly phosphorus doped silicon crystals of i (n- )-type conductivity by thickness about 300 μm with resistivity of 4000 Ohm∙cm were manufactured and investigated. The found out value of photocurrent density equal 48,6 mÀ/cm2 is the record for Ukrainian monocrystalline SC that causes the expediency of serial SC development with p-i-n structure. The influence of weakly concentrated radiation on the efficiency of such type SC was investigated. The proposals on improvement of SC design with p-i-n structure ensuring their efficiency increasing up to 20 % were grounded.

Виготовлені та досліджені тестові зразки фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) з p-i-n структурою на основі дуже слабо легованих фосфором кристалів кремнію i(n-)-типу провідності товщиною близько 300 мкм з питомим опором 4000 Ом∙см. Виявлене значення густини фотоструму, що дорівнює 48,6 мА/см2 є рекордним для вітчизняних монокристалічних ФЕП, що обумовлює доцільність розробки серійних ФЕП з p-i-n структурою. Вивчено вплив слабо концентрованого опромінення на ефективність роботи ФЕП такого типу. Об- ґрунтовано пропозиції по вдосконаленню конструкції ФЕП з p-i-n структурою, що забезпечує збільшення їх ККД до 20 %.