По типу PbTe (d 0,35....0,55мкм) химической связи эти материалы относятся к полярным полупроводникам, связь смешанная ионно – ковалентно – металлическвя. Рентгеноструктурные исследования показали, что конденсаты представляют собой мозаичные монокристаллы, ориентированные осью ˂///˃ перпендикулярно плоскости подложки. Энергия имплантируемых ионов Ar+ составляла Е=90кэВ, плотность тока при имплантации j=0,5…1мкА/〖см〗^2, интегральная доза облучения изменялась от 10 мкКл /см2 (6,2 • 1013см-2) до 900 мкКл/см2 (5,6 • 1015см-2). В пересчете на единицу объема пленки PbTe концентрация имплантированных атомов ˂NAr ˃ составляла от 1,3•1018см-3 до 1,5•1020 см-3. Основной результат бомбардировки ионами аргона-смена типа проводимости (знака коэффициентов Холла R и термо эдс α) (1) с дырочного на электронный. (рис.1). Один из образцов который до имплантации имел проводимость п – типа, сохранил знак R и α. 

Semiconductor PbTe films were obtained by discrete evaporation and were block single crystals oriented with the “///” axis perpendicular to the layer plane. During ion bombardment of PbTe with Ar+ ions, the energy of atoms was E=90 keV, the current density during implantation γ=0.5…..1 μA/cm2, the integral dose of irradiation varied from 10 μC/cm2 (6.2∙1013 cm-2 ) up to 900 µC/cm2 (5.6∙1015 cm-2). In terms of the volume unit of the PbTe film, the concentration of implanted atoms ranged from 1.3∙1018cm-3 to 1.5∙1020cm-3.The main result of bombardment with argon ions is a change in the type of conductivity (the sign of the Hall coefficients R and thermopower α) from hole to electron.