随着High NA EUV光刻光源功率提升至500W以上,晶圆保护膜(Pellicle)面临热载荷、力学载荷和杂质撞击的三重极端耦合作用,已成为制约光刻机稳定性和良率的核心瓶颈。本文在前期多层膜热变形模型和锡污染沉积模型的基础上,建立保护膜的四层递归耦合物理模型,并针对初稿中一维热传导、应力线性叠加、递归名不副实等缺陷进行了彻底修正。模型采用二维轴对称热传导方程准确描述温度场,分离了瞬时断裂与疲劳失效判据,并引入厚度-吸收-温度-厚度的反馈迭代回路,实现了真正的递归耦合。同时增加了氢气刻蚀项、颗粒粘附系数及薄膜疲劳参数的不确定性分析。各子模型均基于公开文献参数标定,修正后的温升预测与imec实验数据趋势一致,寿命预测与ASML工程经验吻合。本文首次将热-力-杂质三场耦合纳入统一的递归框架,为HighNAEUV光刻机的保护膜选型、工艺优化和寿命管理提供了可解析、可计算的工程工具。