Lazer nurlanishining (LR) yarim o'tkazgichlar bilan o'zaro ta'sirini o'rganish fizika va yarim o'tkazgichlar texnologiyasida juda muhim vazifadir. LR ta'siri ostida elektr faol markazlari - ya'ni lazer donor markazlar (LD) InSb [2] dagi lazer donor (LD) markazlari, Si [3]InAs [1] kabi materillarrda yaratilgan. Yangi metall faza shakllanadi, masalan, CdTe yuzasida Te fazasi [3]. Amorfizatsiya yoki kristallanish jarayonlari LR va yarimo'tkazgich parametrlariga qarab sodir bo'ladi. LD markazlari p-Si [33] va p-InSb [4] yuzalarida sifatli p-n birikmalarini yaratish uchun qo'llanilgan. Biroq, ushbu texnologiyani kengroq qo'llash LD markazini shakllantirish mexanizmini va ularning parametrlari, tarkibi, shakli, barqarorlik, zaryad, faollashtirish energiyasi va boshqalar bilimlarni tushunishni talab etiladi. Biroq, birinchi model kristall panjaraning yuqori simmetriyasiga ega bo'lgan yarimo'tkazgichlardagi ta'sirni tushuntirib bera olmaydi, ikkinchi model esa mos kelmaydi, chunki rekombinatsiya jarayoni yarimo'tkazgichlarda termodisifikatsiya jarayonidan ancha sekinroqdir