В работе проведены экспериментальные измерения кристаллографических свойств гетероэпитаксиальных тонкопленочных структур нитрида алюминия AlN, нитрида галлия GaN, выращенных на подложках из сапфира Al2O3 методом молекулярно-лучевой эпитаксии для создания на их основе СВЧ акустоэлектронных устройств.