Le mecanisme d'effet tunnel assiste par phonon en deux etapes via un etat evanescent I′2 est applique au cas des heterojonctions n-Gep-GaAs. On montre que ce modele est confirme par les resultats experimentaux. — L'excitation incoherente de modes collectifs dans la barriere permet d'expliquer: d'une part les anomalies observees sur les heterojonctions p-Gen-GaAs par la contribution des phonons de GaAs, d'autre part certaines structures pres de U = 0 des heterojonctions n-Gep-GaAs par l'emission incoherente des phonons TA de GaAs combinee a l'emission coherente des phonons TA de Ge. Phonon-assisted tunnelling in n-Gep-GaAs heterojunctions is interpreted in terms of the two-steps process via an evanescent state to I′2. The tunnelling characteristics of p-Gen-GaAs heterojunctions are interpreted in terms of phonon emission of GaAs by incoherent excitation in the barrier. Structures near U = 0 of n-Gep-GaAs systems are explained by simultaneous coherent emission of TA phonons of Ge and incoherent emission of TA phonons of GaAs.