Etude dans des heterojonctions CdTe-GaAs(110) preparees in situ, par photoemission en utilisant le rayonnement synchrotron, a la temperature ambiante et apres refroidissement de l'interface a 35 K. La photoinjection compense la composante a grande distance du potentiel electrostatique a travers la jonction, tandis que le dipole interfacial local demeure invariant avec la temperature et avec la densite de porteurs photo-injectes. Dans ces conditions, la photoemission a basse temperature devient un outil ideal pour etudier les discontinuites des bandes de valence des heterojonctions enterrees