
handle: 2117/427028
Menor consumo de energía, alta velocidad y bajo offset son características comúnmente demandadas en el diseño electrónico. La tecnología CMOS ha facilitado los avances para hacer frente a esto. Esta tesis se centra en uno de los bloques más importantes que envuelven a los convertidores ADC, los comparadores, que pueden ser implementados con transistores CMOS. Consiste en diseñar, con una tecnología de 65 nm, diferentes circuitos de este, El objetivo es ver cómo se comportan los convertidores estáticos y dinámicos tipo Nyquist con el ruido de retroceso, el retardo en la comparación, el consumo de potencia y la tensión de offset e intentar implementar soluciones para reducirlos y en consecuencia mejorar la resolución.
Menor consum d'energia, alta velocitat, baix offset són característiques força demandades en el disseny electrònic. La tecnologia CMOS ha facilitat els avenços per poder fer front amb això. Aquesta tesi se centra en un dels blocs més importants presents en els convertidors ADC, els comparadors, que es poden implementar amb transistors CMOS. Consisteix a dissenyar, amb una tecnologia de 65 nm, diferents circuits d'aquest. L'objectiu és veure com es comporten els convertidors estàtics i dinàmics tipus Nyquist amb el soroll de retrocés, el retard en la comparació, el consum de potència, la tensió de offset i intentar implementar solucions per reduir-los i en conseqüència millorar la resolució.
Lower power consumption, high speed and low offset are features commonly demanded in electronic design. CMOS technology has facilitated advances to deal with this. This thesis focus on one of the most important blocks that involves the ADC converters, the comparators, that can be implemented with CMOS transistors. It consists of designing, with a technology of 65 nm, different circuits of it. The goal is to see how Nyquist type static and dynamic converters behave with kickback noise, delay in comparison, power consumption and offset voltage and try to implement solutions to reduce them and in consequence the resolution improves
transistores MOSFET, Transistors MOSFET, Circuits integrats -- Disseny i construcció, Electrònica, Metal oxide semiconductor field-effect transistors, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Circuits electrònics, Electrónica, circuitos microelectrónicos, Electronics, Integrated circuits -- Design and construction, microelectronics circuits, MOSFET transistors
transistores MOSFET, Transistors MOSFET, Circuits integrats -- Disseny i construcció, Electrònica, Metal oxide semiconductor field-effect transistors, Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Circuits electrònics, Electrónica, circuitos microelectrónicos, Electronics, Integrated circuits -- Design and construction, microelectronics circuits, MOSFET transistors
| selected citations These citations are derived from selected sources. This is an alternative to the "Influence" indicator, which also reflects the overall/total impact of an article in the research community at large, based on the underlying citation network (diachronically). | 0 | |
| popularity This indicator reflects the "current" impact/attention (the "hype") of an article in the research community at large, based on the underlying citation network. | Average | |
| influence This indicator reflects the overall/total impact of an article in the research community at large, based on the underlying citation network (diachronically). | Average | |
| impulse This indicator reflects the initial momentum of an article directly after its publication, based on the underlying citation network. | Average |
