La Memoria está organizada en seis capítulos y dos apéndices. En el Capítulo 1, se presenta una breve introducción a las teorías de las reacciones de transferencia electrónica. En el Capítulo 2, se discute la metodología empleada para la determinación del acoplamiento electrónico en los tres sistemas de interés. Los efectos físicos que gobiernan la amplitud del acoplamiento electrónico, así como la habilidad de los distintos métodos para incorporar estos efectos se analizan en el Capítulo 3. Se usaran sistemas modelos para ejemplificar y comprobar la calidad de los resultados obtenidos para cada nivel de cálculo. Los tres capítulos restantes se centran en la presentación y discusión de los resultados obtenidos sobre los tres sistemas anteriormente citados. En el Capítulo 4 se analizará la transferencia electrónica en los haluros de cobre de valencia mixta [Net4][Cu2Cl4]. La promoción de la superficie (110) de TiO2 por la deposición de alcalinos se estudia en el Capítulo 5. Así mismo, se modeliza el movimiento activado térmicamente del electrón extra introducido tras la adsorción del alcalino, así como los efectos estructurales y electrónicos de la introducción de vacantes. Por último en el Capítulo 6, se estudia la conexión superconductores La2-xSrxCuO4. Veremos cual es el papel de los oxígenos de los planos CuO2 en ambos procesos, así como la importancia de la correlación electrónica.|