
handle: 11421/5173
Moleküler demet epitaksi yöntemiyle, farklı büyütme ve soğutma parametreleri kullanılarak, GaSb alttaş üzerine GaSb epikatman yapılar büyütülerek karakterizasyonları yapılmıştır. Büyütme ve soğutma parametrelerinin kristal kalitesine ve örnek yüzeyine etkisi incelenmiştir. Büyütme sonrasında uygulanan soğutma sürecinde kullanılan Sb akı miktarının ve Sb akısının sonlandırıldığı alttaş sıcaklık değerinin epikatmanların yüzeylerinde önemli etkileri olduğu belirlendi. Ayrıca, epikatman yüzey kalitesinin aygıt haline getirilme sürecinde tanımlanan mesa yapılarının aşınma profillerine etkisi olduğu tespit edildi ve bu sorun için çözüm üretildi.
Anadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı
Tez (yüksek lisans) - Anadolu Üniversitesi
Kayıt no: 1036802
Moleküler demet epiteksi, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering, Galyum arsenür yarıiletkenler
Moleküler demet epiteksi, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering, Galyum arsenür yarıiletkenler
| selected citations These citations are derived from selected sources. This is an alternative to the "Influence" indicator, which also reflects the overall/total impact of an article in the research community at large, based on the underlying citation network (diachronically). | 0 | |
| popularity This indicator reflects the "current" impact/attention (the "hype") of an article in the research community at large, based on the underlying citation network. | Average | |
| influence This indicator reflects the overall/total impact of an article in the research community at large, based on the underlying citation network (diachronically). | Average | |
| impulse This indicator reflects the initial momentum of an article directly after its publication, based on the underlying citation network. | Average |
