Denne masteroppgåva presenterer utforming, simulering og implementering av kontroll for ein styrekrins for silikon karbid metall-oksid-halvleiar felteffekttransitor (MOSFET). Styrekrinsen nyttar mellombelse spenningsnivå som kan justerast i både amplitude og lengd. Dette er for å forbetra kontrollen av MOSFETen. Hovudfokuset var å utforska effekten desse mellombelse nivåa i styresignalet hadde på svitsjen. Målet var å optimalisera ytinga til MOSFETen. Detaljerte simuleringar vart gjennomførte for å analysera korleis dette har innverknad på dei ulike ytingsparametrane, som svitsje- og leietap, dv/dt, di/dt og overstraumar og overspenningar. Eit kontrollprogram vart utvikla og implementert i ein digital signal prosessor (DSP) ved bruk av C-programmering. Programmet justera dynamisk styresignalet til styrekrinsen for ynskt drift av svitsjen. Dette gjev presis kontroll over dei dynamiske parametrane til MOSFETen. Programmet vart verifisert ved testing av mikrokontrollaren sitt utgangssignal, ved å bruka eit pikoskop. I tillegg vart det testa i laboratoriet, ved å måla det faktiske svitsjetapet av MOSFETen og samanlikna med det ynskte tapet. Resultata syner at den aktive styrekrinsen er i stand til å manipulera dei naudsynte parametrane til ein silikon karbid MOSFET. Dei syner også at DSP programmet er i stand til å kontrollera styrekrinsen slik at den kan levera det ynskte styresignalet.

This master's thesis presents the design, simulation and control implementation of the four level active gate driver, for enhanced control of SiC MOSFETs. The primary focus was to explore the effect of the intermediate intervals in the gate driving signal, aiming to optimize the SiC MOSFET's performance. Detailed simulations were conducted to analyze this impact on the different performance parameters of the SiC MOSFET, such as switching and conduction losses, dv/dt, di/dt and overshoots in current and voltage. A comprehensive control program was developed and implemented on a DSP using C programming. The proposed program dynamically adjusts the driving signal of the gate driver, for requested operation of the switching device. This provides precise control of the SiC MOSFET's parameters. The program is verified by testing the microcontroller's output by measurements with a picoscope. In addition the program was tested in the laboratory. The actual energy losses of the SiC MOSFET was measured when the DSP's control was provided. The results shows that the active gate driver are able to manipulate the required parameters of the SiC MOSFET. It also shows that the DSP program are able to control the AGD such that it can provide the desired driving pattern.