This thesis is divided into three main parts dealing with ion beam assisted deposition. In the first part there is a brief description of the IBAD chamber at Institute of Physical Engineering of BUT. There is also a detailed description of control of the IBAD apparatus during deposition. Next part deals with measuring of deposition rates of ion sputtering in order to refine deposition of thin layers. Last part deals with planned and already finished changes that should improve quality and speed of thin layers deposition. Changes include the option of covering the substrate holder, change of the entry flange, design of new insertion chamber with multifunctional substrate holder and the option to control the deposition by computer.

Tato diplomová práce je rozdělena do tří hlavních částí věnujících se naprašování tenkých vrstev za pomoci iontového svazku. V první části je uveden popis aparatury IBAD na ÚFI FSI VUT Brno a principy depozičního procesu. Je zde také popsáno podrobné ovládání IBAD aparatury při depozici. Další část se věnuje měření depozičních rychlostí při iontovém naprašování za účelem zpřesnění depozic tenkých vrstev. Poslední část se zabývá plánovanými a již dokončenými konstrukčními úpravami, které mají za cíl zlepšit kvalitu a rychlost depozice tenkých vrstev. Změny zahrnují možnost zaclonění substrátu, výměnu vstupní příruby, návrh nové zakládací komory s multifunkčním držákem substrátů a umožnění ovládání aparatury přes počítač.

B