ResumenEn este trabajo se evalúa el deterioro del material aislante polimérico de baja densidad (Etileno-Propileno) en un cable de potencia de 12/20 kV, a partir de la técnica de descargas parciales (DPs), para tres tipos de objetos de ensayo: una sin defecto y dos con defectos (perforación con objeto puntiagudo y empalme). Adicionalmente, se plantea una función de patrones de DPs que permita cuantificar, visualizar y discriminar un defecto frente a otro en el mismo aislamiento; todo esto con el fin de determinar, entre las tres probetas (o cable) de ensayo, cuál de ellas presenta el defecto más relevante y, en consecuencia, que pueda conducir más rápidamente al daño total del sistema aislante. Como resultado se obtuvo que el empalme es el deterioro más importante, seguido por el defecto debido a la perforación del aislamiento. En cuanto a la función de patrones de DPs planteada, esta discrimina muy bien los defectos, resaltando gráfica y cuantitativamente los más relevantes, y de esta manera mejora algunas deficiencias presentadas por las funciones de patrones ya existentes.

AbstractIn this work the damage on low density polymeric isolated material is evaluated (Ethylene-Propylene) in a power wire of 12/20 kV, from the partial discharges technique (PDs) for three different types of objects: one without defect and other two with it (drilling with pointed object and connection). Additionally to this, a function of patterns is to set out and allow to quantify, visualize and to discriminate defects in the same isolation. This just with the purpose to obtain on the three test tubes, which of them show the most relevant defect and in consequence let us to know the total damage on the isolated system. As results, we find that connections are the most important damages followed by the defect due to the drilling on the isolation. In relation with the patterns function PDs, this one, make a good difference among defects highlighting in a graphic and qualitative way, the most relevant, and so, improvement some deficiencies showed by the functions of patterns that already exist.