La existencia de dispositivos con una característica I-V que exhibe una resistencia diferencial negativa (Negative Differential Resistance, NDR) resulta atractiva desde el punto de vista del diseño de circuitos, como ha sido demostrado por los circuitos que usan diodos basados en el efecto túnel resonante (Resonant Tunneling Diodes, RTDs). Ideas procedentes de diseños con RTDs pueden exportarse a un entorno “todo CMOS” en el que la característica NDR se obtiene mediante transistores (MOS-NDR). En este artículo se proponen estructuras MOS-NDR para realizar puertas lógicas (Threshold Gates, TGs) que operan según el principio de operación MOBILE (MOnostable to BIstable Logic Element). Además, se demuestra que estas puertas pueden interconectarse para formar redes que operan en modo pipeline usando un esquema de reloj de una fase.

Este trabajo ha sido realizado gracias al Proyecto TEC2007-67245/MIC financiado por el Gobierno de España y al Proyecto de Excelencia P07-TIC-02961 financiado por la Junta de Andalucía.

Trabajo presentado al XVI Iberchip celebrado en Iguazú (Brasil) del 23 al 25 de febrero de 2010.

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