En esta tesis doctoral se han desarrollado técnicas de diseño para circuitos electrónicos integrados que empleen dispositivos con una, o varias, regiones de resistencia diferencial negativa (Negative Differential Resistance, NDR) en su característica IV. Uno de los dispositivos más representativos con este tipo de característica es el diodo basado en el efecto túnel resonante (Resonant Tunneling Diode, RTD). Las ventajas de velocidad, consumo y complejidad reducidas que ofrecen estos diodos frente a realizaciones convencionales, ya demostradas en tecnologías III/V, se asocian a la presencia de esta región NDR. El escalado de la tecnología MOS basada en silicio está alcanzando sus límites, en cuanto a densidad y prestaciones, debido a limitaciones físicas fundamentales por lo que la inclusión de dispositivos nanoelectrónicos, en los que se utilizan efectos cuánticos para obtener las funciones típicas del transistor, es una alternativa que debe ser considerada para la que, de hecho, puede constatarse una creciente actividad investigadora.

Memoria presentada en Diciembre de 2010 por Juan Núñez Martínez para optar al grado de Doctor por la Universidad de Sevilla en el Departamento de Electrónica y Electromagnetismo.

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