[EN] The invention relates to a photodetector comprising a continuous active layer in which, in response to incident light, a signal is generated that is proportional to the incident position of the light. The invention is characterised in that the active layer comprises frrst (1) and second (2) organic semiconductors distributed along a longitudinal gradient corresponding to a relative concentration gradient, a structure gradient or both. The invention also relates to the method for obtaining the photodetector and to the method for measuring the response from the photodetector. The invention can be used to obtain a continuous sensor of larger dimensions than those known in the prior art, thereby increasing the operating range without altering the sensitivity thereof.

[ES] El fotodetector comprende una capa activa continua en la que al incidir luz genera una señal proporcional a la posición en la que incide dicha luz; se caracteriza porque la capa activa comprende un primer (1) y un segundo semiconductor orgánico (2) distribuidos según un gradiente longitudinal correspondiente a un gradiente de concentración relativa, un gradiente de estructura o ambos. La invención también se refiere al procedimiento de obtención del fotodetector y al procedimiento de medida de la respuesta del fotodetector. Permite obtener un sensor continuo de mayores dimensiones que los previstos en el estado de la técnica, aumentando su radio de acción sin alterar su sensibilidad.

Fundación Imdea Nanociencia, Consejo Superior de Investigaciones Científicas

A1 Solicitud de patente con informe sobre el estado de la técnica

Peer reviewed