Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares

En este trabajo de tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrínsecamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre sí. Se ha estudiado el proceso de nucleación, la distribución de tensiones que aparece debido a la diferencia de parámetros de red y de coeficiente de expansión térmica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilación de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre substratos de sí también tratados a baja temperatura.

257 páginas, 65 figuras, 28 fotos, 1 tabla.-- Tesis para optar al grado de Doctora en Ciencias Físicas presentada el 05-07-1991 por Mª Yolanda Gónzalez Díez.

Peer reviewed

Country

Spain

Related Organizations

Complutense University of Madrid
Spain

Keywords

Física de materiales, Propiedades de materiales Semiconductores Tecnología de materiales Ciencias Tecnológicas Física del estado sólido Física, Física del estado sólido, 2211 Física del Estado Sólido

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