La epitaxia de haces moleculares (MBE) es una técnica de crecimiento extremadamente versátil que permite la obtención de películas delgadas cristalinas nanoestructuradas. En particular, los puntos cuánticos (QDs) de InAs en GaAs (001) han atraído la atención de numerosos grupos de investigación durante las dos últimas décadas.1 Los niveles discretos de energía característicos de esas nanoestructuras presentan una fuerte dependencia con el tamaño, composición y morfología de las mismas. El diseño y desarrollo de dispositivos con QDs en la zona activa requiere de un control preciso sobre la morfología y composición de los QDs. Hemos focalizado nuestra investigación en los cambios inducidos en las propiedades de las nanoestructuras durante el proceso de recubrimiento más específicamente en dos líneas de investigación: la introducción de Sb en los QDs de InAs y las propiedades magnéticas de los QDs con morfología anular obtenidos al introducir una parada en el proceso de recubrimiento. Hemos estudiado los efectos de la deposición de GaSb, GaAsSb, Sb antes, durante, y tras la formación de QDs de InAs. Una de las principales conclusiones obtenidas a patir de estos experimentos es que los efectos del Sb en la estructura atómica y electrónica de los QDs de InAs son drásticamente diferentes dependiendo en cómo y en qué fase del crecimiento se incorporan los compuestos de Sb.2 Los mejores resultados se obtienen al exponer los QDs de InAs a Sb inmediatamente antes de su recubrimiento. Hemos obtenido un aumento de un orden de magnitud en la intensidad de la fotoluminiscencia a temperatura ambiente y un desplazamiento hacia el rojo de la longitud de onda de emisión desde 1260 nm hasta 1370 nm, mientras que en la literatura este tipo de desplazamientos siempre va asociado a una caída en la intensidad de la luminiscencia. La segunda línea de investigación se ha centrado en el estudio de las propiedades de los anillos cuánticos (QRs) auto-ensamblados de InAs en GaAs (001). Al introducir, bajo unas condiciones específicas de crecimiento, una pausa en el proceso de recubrimiento, se produce un cambio drástico en la morfología de los QDs, dando lugar a la formación de nano-volcanes o QRs.4 La morfología anular de estas nanoestructuras ha generado mucho interés debido a los efectos relacionados con la aplicación de campo magnético, ya que los portadores atrapados en un QR podrían ser capaces de atrapar cuantos de flujo magnético. En este trabajo presentamos la caracterización llevada a cabo para comprender el comportamiento de los niveles electrónicos de los QRs bajo la acción de campo magnético.

Peer reviewed