Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo (MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo. La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más compleja. [ES]

The invention relates to a field-effect transistor (MOSFET) and a method for manufacturing same. The invention comprises a high-power diamond metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), as well as the method for manufacturing same by lateral/selective growth. The combination of growth on the substrate of the first layers with a standard vertical shape and the use of selective lateral growth on the etched-mesa structure grants the MOSFET device a novel three-dimensional structure. This avoids the edge effects of the metal contacts and the high internal electrical fields, improves the crystalline quality of the diamond and reduces the times, costs and size of the device, also making it more versatile for implementation on more complex architectures. [EN]

Universidad de Cádiz, Consejo Superior de Investigaciones Científicas (España)

A1 Solicitud de patente con informe sobre el estado de la técnica

Peer reviewed