Se describe un sensor de iones y su método de fabricación que comprende un primer y un segundo transistor de efecto de campo selectivo a iones, un electrodo, un sustrato sobre cuya superficie se integran los dos transistores, unas pistas de conexión y el electrodo y una estructura adherida sobre el primer transistor que crea un microdepósito, lleno de una solución de referencia, con un microcanal que conecta con el exterior, así como un método de medida, que permite alargar la vida útil de dicho sensor, y que mientras éste no está siendo utilizado, se encuentra inmerso en un recipiente lleno de la solución de referencia, que permite alargar la vida útil de dicho sensor. La aplicación más habitual de este sensor es la medida de iones.

A2 Solicitud de patente sin informe sobre el estado de la técnica

Consejo Superior de Investigaciones Científicas (España)

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