Une etude de leffet de la temperature et du champ magnetique sur une photopile au silicium a jonctions verticales connectees en parallele, est presentee,en fonctionnement de regime transitoire de circuit ouvert. La densite transitoire de porteurs minoritaires en exces dans la base est une somme de termes infinis, dont le temps de decroissance des differentes harmoniques est etudie. Lepaisseur optimum de la base permet de determiner la temperature optimum qui influe sur le temps de decroissance du regime transitoire.