Тема выпускной квалификационной работы: «Разработка полупроводникового ограничителя тока короткого замыкания 210 кА на постоянном напряжении 0,6 кВ». Данная работа посвящена выполнению разработки полупроводникового ограничителя тока короткого замыкания, в частности тока короткого замыкания 210кА до тока 20-30кА в течении 400мс. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Разработка принципиальной схемы полупроводникового ограничителя тока. 2. Моделирование работы схемы в нормальном режиме и в режиме ограничения тока короткого замыкания. 3. Выбор элементов схемы на основании результатов моделирования. 4. Анализ схемы на наличие перенапряжений на коммутационных устройствах и способов защиты от них. 5. Оценка тепловой энергии, выделяющейся на компонентах схемы. 6. Анализ перспективных путей развития устройства. 7. Анализ способов параллельного подключения полупроводниковых устройств. Работа проведена на основе изучения особенностей работы полупроводниковых устройств. В результате работы была получена схема устройства полупроводникового ограничителя тока, разработан алгоритм управления. Получены осциллограммы токов и напряжений по результатам моделирования схемы в различных режимах работы. Выбраны компоненты схемы. Выбрана система для защиты от перенапряжений на коммутирующих устройствах. Оценены тепловые режимы схемы. Разработаны рекомендации для производства и усовершенствования схемы.

The subject of the graduate qualification work is "Development of a semiconductor short-circuit current limiter 210 kA at a direct voltage of 0.6 kV". The given work is devoted to the development of a semiconductor short-circuit current limiter, in particular, a short-circuit current of 210 kA up to a current of 20-30 kA for 400ms. Tasks that were solved in the course of the study: 1. Development of a scheme of a semiconductor current limiter. 2. Simulation of the operation of the circuit in the normal mode and in the mode of limiting the short-circuit current. 3. Selection of circuit elements based on simulation results. 4. Analysis of the circuit for the presence of overvoltage on switching devices and methods of protection against them. 5. Estimation of thermal energy released on circuit components. 6. Analysis of promising ways of device development. 7. Analysis of methods for parallel connection of semiconductor devices. The work was fulfilled on the basis of studying the features of the operation of semiconductor devices. As a result of the work, a scheme of the device of a semiconductor current limiter was obtained, a control algorithm was developed. Oscillograms of currents and voltages are obtained based on the results of circuit simulation in various operating modes. Schematic components selected. A system for overvoltage protection on switching devices has been selected. The thermal regimes of the scheme are estimated. Recommendations for the production and improvement of the circuit have been developed.