В результате исследования построена теоретическая модель, описывающая механизм релаксации остаточных напряжений в пентагональных кристаллических наноструктурах путем формирования отдельной КПДП. Напряженное состояние частицы моделируется с помощью упругого шара с аксиально расположенной в нем положительной клиновой дисклинацией. В основу предлагаемого решения положено найденное ранее точное выражение для упругой энергии КПДП в однородном упругом шаре. Определены наиболее энергетически предпочтительные места ее зарождения. Показано, что зарождение КПДП становится эффективным каналом релаксации остаточных напряжений при достижении частицей некоторого критического размера, который зависит от геометрических параметров наночастиц и свойств материала.