Ð’ этой работе были изучены свойства основного состояния многоэкситоннго комплекса, локализованного в наноразмерной полупроводниковой квантовой точке (КТ). Расчеты были выполнены с использованием апроксимации огибающей функции для перемещения электронов и дырок в КТ. Квантово-Ð¼ÐµÑ Ð°Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ°Ñ обработка электронно-дырочного Ð¿ÐµÑ€ÐµÑ Ð¾Ð´Ð° была осуществлена в Ñ€Ð°Ð¼ÐºÐ°Ñ Ñ‚ÐµÐ¾Ñ€Ð¸Ð¸ функционала плотности. Были проанализированы зависимости энергии основного состояния от радиуса КТ, номер электронно-Ð´Ñ‹Ñ€Ð¾Ñ‡Ð½Ñ‹Ñ Ð¿Ð°Ñ€, диэлектрическая функция КТ и эффективные массы электронов и дырок. Анализ показал, что когда многоэкситонный комплекс сильно локализован в Ð¿Ñ€ÐµÐ´ÐµÐ»Ð°Ñ ÐšÐ¢, то его дискретная энергия связи такая же, как и энергия связи изолированного экситона в объемном полупроводнике. При этом физические свойства системы определяются единственным параметром: отношением КТ к радиусам свободного экситона.