Системно излагаются физические основы полупроводниковой электроники. Рассмотрены диффузия и дрейф подвижных носителей заряда, приведены примеры взаимосвязи этих явлений и применения в полупроводниковых приборах. Анализируются термоэлектрические явления и особенности движения электронов и дырок в полупроводнике при воздействии магнитных полей. Обсуждаются механизмы генерации и рекомбинации, особенности электронного строения приповерхностной области. Всесторонне рассматриваются физические принципы и основные свойства различных полупроводниковых переходов. Большое внимание уделяется взаимодействию электромагнитного (светового) излучения с полупроводниками и р-n-переходами и излучению света р-n-переходом. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров и магистров «Техническая физика» и «Электроника и наноэлектроника». Оно также будет полезно для студентов, изучающих дисциплину «Электроника» в рамках направлений подготовки «Радиотехника» и «Телекоммуникации». Работа выполнена в рамках реализации программы развития национального исследовательского университета «Модернизация и развитие политехнического университета как университета нового типа, интегрирующего мультидисциплинарные научные исследования и надотраслевые технологии мирового уровня с целью повышения конкурентоспособности национальной экономики» и «Телекоммуникации».

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.