Изложены фундаментальные сведения по теоретическим основам современных дифракционных методов (просвечивающая электронная микроскопия, рентгеновская топография, рентгеновская дифрактометрия) на базе динамической теории рассеяния электронов и рентгеновских лучей в идеальных и несовершенных кристаллах, включая элементы теории изображения дефектов кристаллической решетки. Знание последней позволяет определять природу протяженных дефектов (дислокации, дефекты упаковки, частиц новой фазы, интерфейсов и других несовершенств, возникающих в объеме полупроводниковых монокристаллов, а также в гетероэпитаксиальных структурах в результате ростовых процессов и различных технологических операций в микро- и наноэлектронике). Предназначено для студентов физико-технического факультета, обучающихся по направлению магистерской подготовки 140400 «Техническая физика», специальности «Физика и техника полупроводников», «Физика структур пониженной размерности».

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.