В работе рассмотрено формирование дефектов структуры и иных процессов, происходящих в полупроводниковых материалах при ионной бомбардировке. Для проведения анализа разработан комплексный подход, включающий в себя набор методик численного расчёта, а также взаимно дополняющие экспериментальные методы исследования. Подход позволяет при помощи корректного варьирования экспериментальных условий облучения и проведения моделирования возникающих при этом каскадов смещений разделять вклады различных механизмов в происходящие процессы. Показана важнейшая роль плотности индивидуальных каскадов смещений, создаваемых тормозящимися в твёрдом теле для всех исследованных случаев.