Resumo No presente trabalho foram investigadas as propriedades elétricas da hexaferrita do tipo M BaFe12O19 (BaM) no regime de baixas temperaturas, algo novo na literatura deste material. A técnica utilizada foi a espectroscopia de impedância, sendo as medidas realizadas no intervalo de temperatura de 300 a 50 K, com a frequência do campo elétrico externo oscilante variando de 1 Hz a 1 MHz. Nossos resultados mostram que a BaM apresenta caráter semicondutor como outras hexaferritas já reportadas na literatura.