Se depositaron películas delgadas de ZnMnO por el método de Deposición por Láser Pulsado (PLD, por sus siglas en inglés) sobre sustratos de Silicio, variando la concentración de Mn en el rango entre 1 y 20 wt.%, manteniendo la presión del gas de trabajo y la temperatura del substrato constantes, en 46 mTorr y temperatura ambiente respectivamente. Para observar el efecto de la concentración de Mn en las muestras crecidas se usaron las técnicas de difracción de rayos-X (DRX) y espectroscopia Raman. Del estudio de DRX se observa que todas las muestras preparadas en este trabajo tienen una estructura wurzita hexagonal y se presenta una ligera variación de los parámetros de red, entre 3.170 a 3.192 y 5.176 a 5.213 para las constantes a y c respectivamente. El análisis Raman corrobora la estructura wurzita de las muestras al observarse en todas ellas el modo óptico E2 (High) típico de la estructura del ZnO. En general se observaron bandas localizadas en 100 cm-1, 434 cm-1 y 570 cm-1 asociados con los modos de vibración E2 (Low), E2 (High) y E1 (LO) respectivamente. El estudio estructural de las muestras permite establecer que no hubo cambio de fase respecto al ZnO debido a la incorporación del Mn.