On signale un phenomene de retrecissement suivant les parois laterales en gravure ionique reactive, avec une pente ∼75°. Une facette du masque de photoresist se forme a cause de la variation angulaire de la vitesse de perte de resist. L'angle de la facette avec le plan vertical est d'environ 16° et sa vitesse de propagation plus de deux fois la vitesse d'attaque verticale. Si la facette atteint le materiau grave, elle continue a se former dans celui-ci. Un gradin de silicium initialement vertical sans masque donne egalement une facette, mais pas un gradin de silice. Interpretations. Pour obtenir des parois bien verticales, il faut prevoir le temps de gravure tel que la facette du masque ne puisse atteindre l'interface