Ces pieges d'attraction coulombienne sont produits avec l'injection d'avalanche des trous a partir du substrat de silicium et de la capture ulterieure de certains de ces trous sur des sites lies a l'arsenic. Durant la photoemission interne des electrons a partir d'une porte fine d'Al, on determine les deplacements de tension dus a l'annihilation des trous par des electrons, et la section efficace effective de capture