Es wird über Versuche zum Aufdampfen dünner Schichten der III—V-Verbindungen InAs und InSb berichtet. Das hierzu benützte „3-Temperaturverfahren“ fordert im wesentlichen eine kritische Einstellung der beiden — zur getrennten Verdampfung der Einzelkomponenten vorgesehenen — Tiegeltemperaturen T1 und T2 sowie der Temperatur T3 der Auffängerfläche. Dabei sind T1 und T2 so zu wählen, daß die leichtflüchtige Komponente in der Dampfphase im Überschuß vorliegt. Die geeignete Wahl der Trägertemperatur T3, bewirkt, daß nur die Moleküle der gewünschten Verbindung zur Kondensation gelangen können, während überschüssige Teilchen der leichtflüchtigen Komponente in den Dampfraum remittiert werden. Die Schichtdicken der mit diesem Verfahren aufgedampften Proben liegen zwischen 0,5 und 35 μ. Die Halbleitereigenschaften wurden insbesondere an n-leitenden InAs-Schichten untersucht und ergaben Hall-Beweglichkeiten bis 13 000 cm3/Vsec. Die Messung der Hall-Konstanten RH ist mit einer gewissen Unsicherheit behaftet, läßt jedoch auf Werte von maximal 100 cm3/Vsec schließen. Damit ergeben sich maximale Hall-Spannungen von mehreren Volt. Beide Größen RH und μH zeigen einen gewissen Anstieg mit der Kristallitgröße der polykristallin vorliegenden Schichten. Die möglichen Gründe für diese Abhängigkeit sowie die noch bestehenden Abweichungen von den Eigenschaften des Massivmaterials werden diskutiert.