The electron trap distribution between 0.8 to 0.6 eV under the conduction band minimum of the ordered phase in the layered compound CdInGaS4 is determined by I–U and I-1000/T measurements. Disordered crystals of this compound seem to have an inhomogeneous trap distribution, as indicated by I–U- and I-1000/T measurements. Die Elektronenhaftstellenverteilung zwischen 0,8 und 0,6 eV unterhalb des Leitungsbandminimums der geordneten Phase der Schichtstruktur CdInGaS4 wird mittels I–U- und I-1000/T-Messungen bestimmt. Fehlgeordnete Kristalle dieser Verbindung scheinen eine inhomogene Haftstellenverteilung zu besitzen, wie die I–U- und I-1000/T-Messungen zeigen.