The interaction of slip dislocations in silicon crystals having very low dislocation densities is examined, mainly by means of X-ray diffraction topography. In the same slip system, slip polygonizations are formed by dislocations located on parallel slip planes with a considerably large spacing of more than 10 μm, and both formation and elimination of dislocation crossings are sometimes observed in the case of small spacing between parallel planes. The interaction between dislocations which belong to different slip systems is also observed. Die Wechselwirkung von Gleitversetzungen in Siliziumkristallen mit sehr geringer Versetzungsdichte wurde mittels Rontgenstrahltopographie untersucht. Im gleichen Gleit-system wird die Polygonisation der Gleitveretzungen durch Versetzungen gebildet, die auf parallelen Gleitebenen mit Abstanden von mehr als 10 μm angeordnet sind. Sowohl Bildung als auch Auflosung von Versetzungsknoten werden manchmal bei kleinen Abstaden der parallelen Ebenen beobachtet. Die Wechselwirkung der Versetzungen, die zu verschiedenen Gleitsystemen gehoren, wurde ebenfalls beobachtet.