Методом высокочастотного магнетронного напыления впервые создано гетероструктуру n-Zn0.5Cd0.5O–p-GaSe. Исследовано топологию поверхности тонкой оксидной пленки Zn0.5Cd0.5O, которая сформирована на свежесколотой ван-дер-ваальсовой поверхности слоистого кристалла GaSe. Установлена область спектральной чувствительности гетероструктуры. Методом АСМ-изображений обнаружено, что в пленке Zn0.5Cd0.5O формируются сквозные каналы различной топологии и размеров, которые существенно влияют на шунтирующие сопротивления гетероперехода.

Heterostructure n-Zn0.5Cd0.5O–p-GaSe was prepared by the method of high-frequency magnetron sputtering for the first time. Topology of surface of Zn0.5Cd0.5O thin oxide film formed on freshly cleaved van der Waals surface of GaSe layered crystal was investigated. Sensitivity spectral areas was identified. The method of AFM images has revealed that Zn0.5Cd0.5O thin oxide film has through channels of different topologies and sizes that significantly influence on the heterojunction shunt resistances.

Методом високочастотного магнетронного напилення вперше створено гетероструктуру n-Zn0.5Cd0.5O–p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки Zn0.5Cd0.5O, що сформована на свіжосколотій ван-дер-ваальсовій поверхні шаруватого кристалу GaSe. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктури. Методом АСМ-зображень виявлено, що в плівці Zn0.5Cd0.5O формуються наскрізні канали різної топології і розмірів, які істотно впливають на шунтуючі опори гетеропереходу.