In the work it is systematized the most commonly used methods of investigation of semiconducting structures of low dimension (from micrometer units till tens of nanometers), that allow qualitatively and quantitively to distinguish their traditional and new features. Phenomena, running in near-surface layers of diamond-like crystals under the influence of low temperature (under 0.35 Tpl ) deformation, ultrasonic and laser irradiation are examined. Physical mechanism of low temperature microplasticity in single crystals Ge and Si is set. Physical patterns of modification of near surface layers GaAs with low-level laser irradiation are identified. A new method of nanostructures formation in Ge under influence of dislocation-surface diffusion is offered.

В работе систематизированы наиболее часто используемые методы исследования полупроводниковых структур низкой размерности (от единиц микрометров до десятков нанометров), позволяющих количественно и качественно определять традиционные и новые их свойства. Рассмотрены явления, происходящие в приповерхностных слоях алмазоподобных кристаллов под действием низкотемпературной (ниже 0, 35 Tпл ) деформации, ультразвукового и лазерного облучения. Установлен физический механизм низкотемпературной микропластичности в монокристаллах Ge и Si . Определены физические закономерности модификации приповерхностных слоев GaAs при низкоуровневом лазерном облучении. Предложен новый метод формирования наноструктур в Ge под действием дислокационно-поверхностной диффузии.

В роботі систематизовані найбільш часто використовувані методи дослідження напівпровідникових структур низької розмірності (від одиниць мікрометрів до десятків нанометрів), що дозволяють кількісно і якісно визначати традиційні і нові їх властивості. Розглянуто явища, що відбуваються в приповерхневих шарах алмазоподібних кристалів під дією низькотемпературної (нижче 0, 35 Tпл) деформації, ультразвукового і лазерного опромінення. Встановлено фізичний механізм низькотемпературної мікропластичності в монокристалах Ge і Si. Визначено фізичні закономірності модифікації приповерхневих шарів GaAs при низькорівневому лазерному опромінюванню. Запропоновано новий метод формування наноструктур в Ge під дією дислокаційно-поверхневої дифузії.