Показано, что переход от силовой Si-электроники к силовой GaN-электронике является действенным методом, обеспечивающим рост энергоэффективности преобразователей электрической энергии. Проведен сравнительный анализ эффективности оборудования силовой электроники на основе Si и GaN, а также показаны текущее состояние и тренды развития дискретных силовых транзисторов и силовых интегральных схем (ИС) на основе GaN. Показано, что переход к GaN ИС является одним из базовых трендов развития силовой микроэлектроники. Представлены результаты разработки силовых GaN-интегральных схем на основе гетероструктур GaN/SOI с напряжением 650 и 200 В.