Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их оптические и отоэлектрические свойства. Проведен обзор электронной структуры и оптических свойств материалов на основе Si/Ge с квантовыми точками Ge. Проведено сравнение спектров фотолюминесценции, электролюминесценции структур данного типа, спектров фотопроводимости, рассмотрено явление отрицательной фотопроводимости.
- National Research University of Electronic Technology Russian Federation
фотопреобразователи, наногетероструктуры, германий, фотоэлектрические характеристики, квантовые точки, солнечные элементы, кремний
фотопреобразователи, наногетероструктуры, германий, фотоэлектрические характеристики, квантовые точки, солнечные элементы, кремний
selected citations These citations are derived from selected sources.This is an alternative to the "Influence" indicator, which also reflects the overall/total impact of an article in the research community at large, based on the underlying citation network (diachronically).0 popularity This indicator reflects the "current" impact/attention (the "hype") of an article in the research community at large, based on the underlying citation network.Average influence This indicator reflects the overall/total impact of an article in the research community at large, based on the underlying citation network (diachronically).Average impulse This indicator reflects the initial momentum of an article directly after its publication, based on the underlying citation network.Average
Citations provided by BIP!Popularity provided by BIP!