Предложен оригинальный алгоритм численного моделирования роста грани кристалла с произвольной атомной структурой. Кристалл может включать точечные дефекты и дислокации. Алгоритм допускает введение в ростовую систему примеси, замещающей атомы определенных сортов. Предусмотрена возможность использования модели для исследования механизмов образования зонарной микропериодической структуры монокристаллов, связанных с неоднородным распределением примеси.

An original numerical algorithm to simulate the face growth of a crystal with an arbitrary atomic structure has been proposed. The crystal may have dot defects and dislocations. The algorithm allows for introduction in the growth system of an impurity replacing certain sorts of atoms. The model can be used to study the formation mechanisms of the monocrystal oscillatory zoning pattern which are associated with the impurity non-uniform distribution.