Исследовано изменение параметров тонкопленочных структур в процессе ионной имплантации. С помощью метода рентгеновской рефлектометрии были определены толщины тонкопленочных структур до и после имплантации. Методом рентгеновской дифрактометрии была установлена кристаллическая структура пленок, оценен средний размер зерна, а также, на основе метода решения уравнения Вульфа-Брэгга была выявлена экспериментальная постоянная решетки. Продемонстрирована возможность использования методики контролируемой ионной имплантации для изменения размеров зерен формируемых структур.

In this paper were investigated the change of parameters of structures of thin film during ion implantation. Thickness of thin films before and after ion implantation were investigated by X-ray reflectivity. Also, crystal structure, average crystallite size and lattice constant were investigated by X-ray diffraction. The possibility of using ion implantation technique as method of changing grains size in structures was demonstrated.